什么是内光电效应?

内光电效应就是在半导体材料中，光子能量大于或等于材料禁带宽度时，会引起材料中自由电子的跃迁，产生电子空穴对，产生电流的物理效应。

内光电效应和外光电效应的区别

根据效应发生的部位和性质，习惯上将其分为外光电效应和内光电效应。

外光电效应是指发生在物质表面上的光电转换现象，主要包括光阴极直接向外部放出电子的现象，典型的例子是物质表面的光电发射;内光电效应指发生在物质内部的光电转换现象，特别是半导体内部载流子产生效应，主要包括光电导效应与光伏效应。概括起来就是：

(1)内光电效应发生在物质内部，外光电效应发生在物质表面;

(2)内光电效应主要体现为载流子的产生效应，外光电效应主要体现为表面电子发射现象;

(3)内光电效应中的红限与半导体禁带宽度成反比，而外光电效应中的红限与表面逸出功成反比。

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